特許
J-GLOBAL ID:200903018045873422

半導体導波路型光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲垣 清 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-233437
公開番号(公開出願番号):特開平11-074604
出願日: 1997年08月29日
公開日(公表日): 1999年03月16日
要約:
【要約】【課題】 幅広い動作条件の下で低い偏波依存性で動作し、しかも製作が容易な半導体導波路型光素子を提供する。【解決手段】 本半導体導波路型光素子10は、TMモード及びTEモードの光信号の利得に対して相互に異なる偏波特性を有し、かつ直列に光接続された少なくとも2個の電気的に独立した半導体光増幅部12、14を同一基板16上に備えた半導体導波路型光素子である。各半導体光増幅器構造に注入する電流値を所定の関係に従って調整することにより、素子の偏波依存性を抑制する。
請求項(抜粋):
TMモード及びTEモードの光信号の利得に対して相互に異なる偏波特性を有し、かつ直列に光接続された少なくとも2個の電気的に独立した半導体光増幅部を同一基板上に備えた半導体導波路型光素子であって、各半導体光増幅部に注入する電流値を所定の関係に従って調整することにより、光素子の偏波依存性を抑制するようにしたことを特徴とする半導体導波路型光素子。

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