特許
J-GLOBAL ID:200903018054186780
磁界ベクトルセンサ及びセンサシステム
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
柏木 慎史 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-281140
公開番号(公開出願番号):特開2003-084051
出願日: 2001年09月17日
公開日(公表日): 2003年03月19日
要約:
【要約】【課題】 従来の3次元の磁界ベクトルセンサにおける欠点をなくした低コストで超小型、高精度な磁界ベクトルセンサ及びこれを用いた小型なセンサシステムを提供する。【解決手段】 球状半導体2上に複数個の薄膜磁気インピーダンス素子3,4,5を備えた磁界ベクトルセンサ1として構成することで、球状半導体2上に半導体プロセスにより薄膜磁気インピーダンス素子3,4,5を一括して複数個搭載させることができ、従来の個別のコイル等による各センサ素子を立方体状に配置させる場合に比べ、各軸方向の配置を半導体プロセスの精度と同等の精度で直交配置させることが可能となり、このため、従来方式のような製造過程における、各軸の特性の調整が不要となり、低コストで精度の良い3次元センサを実現することができる。
請求項(抜粋):
球状半導体上に複数個の薄膜磁気インピーダンス素子を備える磁界ベクトルセンサ。
IPC (8件):
G01R 33/02
, G01B 7/00
, G01C 9/06
, G01C 21/08
, G01D 21/00
, G01R 33/09
, G08C 17/00
, H01L 43/00
FI (8件):
G01R 33/02 L
, G01B 7/00 R
, G01C 9/06 R
, G01C 21/08
, G01D 21/00 A
, H01L 43/00
, G01R 33/06 R
, G08C 17/00 A
Fターム (33件):
2F063AA04
, 2F063AA37
, 2F063BA29
, 2F063DC08
, 2F063GA52
, 2F063GA79
, 2F063KA01
, 2F063LA19
, 2F063NA01
, 2F073AA01
, 2F073AA33
, 2F073AB02
, 2F073AB11
, 2F073AB14
, 2F073BB01
, 2F073BC02
, 2F073CC03
, 2F073FF16
, 2F073FG01
, 2F073FG04
, 2F073GG04
, 2F073GG05
, 2F073GG08
, 2F076BA01
, 2F076BB01
, 2F076BD02
, 2F076BD15
, 2F076BE05
, 2F076BE18
, 2G017AA03
, 2G017AD55
, 2G017AD60
, 2G017BA15
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