化合物半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257003
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067843
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】条件を設定することで、再現性良く再成長できるようにし、界面の不純物濃度を低下させた化合物半導体装置の製造方法である。【構成】分子線エピタキシー法により、n-GaAs基板上に、n-GaAsバッファ層、n-AlXGa1-XAs(X=0.45)クラッド層1、活性層2、p-AlXGa1-XAs(X=0.4)キャリア閉じ込め層3、p-AlXGa1-XAs(X=0.15)光ガイド層4の順に成長する。光ガイド層4上にグレーティングを形成後、材料仕込み後の真空度を1×10-6Torr以下まで下げ、水素導入後のベーク時間、ソーク時間及びソーク温度を適当な値にして、AlXGa1-XAsを成長するためのメルトの還元を充分に行ない、酸素濃度を極限まで低下させる。基板をこのメルトに接触させて再成長を行なう。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上にエピタキシャル成長してなる装置の製造方法において、第1の成長工程と、一度成長を中断し成長炉から外部に出す工程と、再度成長炉に投入し第2の成長を行う工程とを少なくとも含み、該第2の成長工程の成長方法が液相エピタキシャル成長法であり、該第2の工程の最初の成長雰囲気及び融液が還元性の高い雰囲気及び融液で構成されていることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

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