特許
J-GLOBAL ID：200903018059400462
静電容量型圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-063912
公開番号（公開出願番号）：特開平11-248582
出願日： 1998年03月02日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 低コストで、電極の電気信号を外部に引き出すための貫通孔を高い寸法精度で形成することのできる静電容量型圧力センサを提供すること【解決手段】 シリコン基板11とガラス基板12を陽極接合により一体化し、シリコン基板に薄肉のダイアフラム13が形成される。ダイアフラムのガラス基板側が可動電極15となり、これに対応するガラス基板の表面に、固定電極14が形成される。この固定電極の形成と同時に、電気信号を引き出すための引出線16が形成される。この引出線に対向するシリコン基板の表面には、凹溝20を設けており、センサ内部(両電極間のギャップ)とセンサ外部が接続される。ここで、シリコン基板に凹溝まで接続される貫通孔21を形成し、係る貫通孔を介して絶縁性樹脂を凹溝内に充填し、係る絶縁性樹脂が、凹溝の一部と貫通孔を塞いで、センサ内部を密閉している。
請求項（抜粋）：
固定電極を有する固定基板と、前記固定基板に対向する面が可動電極となるダイアフラムを有する半導体基板とを接合して一体化してなる静電容量型圧力センサにおいて、前記固定基板の接合面側表面に、前記固定電極の引出線が形成され、前記固定基板の前記引出線の形成部位と、前記引出線に対向する前記半導体基板の表面の少なくとも一方に、前記引出線と前記半導体基板を非接触にするための凹溝が形成された静電容量型圧力センサにおいて、前記可動基板に、厚さ方向に貫通するとともに前記凹溝に開口する貫通孔を設け、前記貫通孔を介して供給された絶縁物により、前記凹溝並びに前記貫通孔の開口を閉塞することを特徴とする静電容量型圧力センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01L 13/06 C
, H01L 29/84 Z
