特許
J-GLOBAL ID：200903018061457579
端子接合方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-158235
公開番号（公開出願番号）：特開平6-006020
出願日： 1992年06月17日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 本発明は端子接合方法に関し、低圧力、低温度下において信頼性の高い接合を実現することを目的とする。【構成】 端子11,12にSn-Pb層14,15を形成し、これを間に液相のGaを介して突き合せ、80°Cに加熱する。液相のGaが、Sn-Pb層14,15の表面の酸化膜17,18内に拡散し、更にSn-Pb層14,15内に拡散し、Sn-Pb-Ga共晶合金製の接合部32を形成するよう構成する。
請求項（抜粋）：
接合すべき端子(11,13)上に、低温で他の金属が拡散し易い金属製の接合体(14,15)を形成する接合体形成工程(11)と、該形成された接合体上に、液相温度が室温付近である低融点金属製の接合助剤(30)を付着させる接合助剤付着工程(20)と、上記端子同士を突き合わせて加圧し、この状態で加熱し、液相状態の接合助剤を、上記接合体の表面の酸化膜(17,18)内に及び上記接合体(14,15)内に拡散させる加圧加熱工程(21,22)とよりなる構成としたことを特徴とする端子接合方法。
IPC (4件)：
H05K 3/34
, H01L 23/50
, H01R 4/02
, H01R 43/02
