特許
J-GLOBAL ID：200903018062487943
半導体発光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-046977
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251644
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 発光素子を他の素子と複合化してアセンブリするものであっても発光輝度を高く維持できボンディングワイヤも含めて全体を小型化し得る半導体発光装置を提供すること。【解決手段】 静電気保護用のSiダイオード28をリードフレームまたは基板等の搭載面に搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子27をSiダイオード28の上面にp側及びn側の電極を逆極性でマイクロバンプ33,34により電気的に導通させて搭載し、半導体発光素子1の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、Siダイオード28には、半導体発光素子27を搭載する搭載面を上端面よりも低くして部分的に形成し、搭載面と上端面との間の段差を反射面として利用するとともに全体の高さを低くしたアセンブリを可能とする。
請求項（抜粋）：
静電気保護用のSiダイオードをリードフレームまたは基板等の搭載面に搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子を前記Siダイオードの上面にp側及びn側の電極を逆極性でマイクロバンプにより電気的に接続した形で搭載し、前記半導体発光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、前記Siダイオードの上面に段差部を形成するとともにこの段差部の底面を前記半導体発光素子を搭載する搭載面としてなる半導体発光装置。
FI (2件)：
H01L 33/00 N
, H01L 33/00 C
