特許

J-GLOBAL ID：200903018067675829

半導体装置の製造方法

発明者： 山根 千種
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-012200
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203894
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 段差を有する基体表面上に最終保護膜等としてP-SiN膜を形成するに際して、形成するP-SiN膜を、その膜組成や半導体素子に対するダメージを与えることなく低応力化することのできる、半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体素子部を形成した基体51の段差を有する表面上に、層間絶縁膜あるいは最終保護膜を形成する半導体装置の製造方法である。保護膜として、シラン系化合物と窒素または窒素化合物とを原料とするプラズマCVD法によりSiN膜54を形成し、その後、形成したSiN膜54に紫外線照射処理を施す。SiN膜の形成とこのSiN膜への紫外線照射処理とを、複数回繰り返してもよい。

請求項（抜粋）：

半導体素子部を形成した基体の段差を有する表面上に層間絶縁膜あるいは最終保護膜を形成するに際し、前記保護膜として、シラン系化合物と窒素または窒素化合物とを原料とするプラズマCVD法によりSiN膜を形成し、その後、形成したSiN膜に紫外線照射処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。