特許
J-GLOBAL ID：200903018077645820
III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-108497
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357663
出願日： 2000年04月10日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 大面積のIII族窒化物系化合物半導体基板を歩留まり良く、かつ再現性良く製造できるIII族窒化物系化合物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 まず、基板11上に、第1のIII族窒化物系化合物半導体からなり、段差13cを備える第1の半導体膜13を形成する(図1(b))。その後、第1のIII族窒化物系化合物半導体とは異なる熱膨張係数を有する第2のIII族窒化物系化合物半導体からなる第2の半導体膜14aを形成する(図1(c))。その後、基板11を冷却し、第2の半導体膜14aを第1の半導体膜13から分離してIII族窒化物系化合物半導体基板14を得る。
請求項（抜粋）：
III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法であって、(a)基板上に、第1のIII族窒化物系化合物半導体からなり段差を備える第1の半導体膜を形成する工程と、(b)前記第1の半導体膜上に、前記第1のIII族窒化物系化合物半導体とは異なる熱膨張係数を有する第2のIII族窒化物系化合物半導体からなる第2の半導体膜を形成する工程と、(c)前記基板を冷却し、前記第2の半導体膜を前記第1の半導体膜から分離する工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 29/38
, H01L 33/00
, H01S 5/323
H01L 21/205
, C30B 29/38 D
, H01L 33/00 C
, H01S 5/323
