特許

J-GLOBAL ID：200903018080838818

半導体製造装置及び半導体製造装置のクリーニング方法

発明者： 宮城 勝伸
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-196535
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064578
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 従来に比べてパーティクルの発生を抑制することができ、歩留まりの向上を図ることができるとともに、信頼性及び生産効率の向上を図ることのできる半導体製造装置及び半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。【構成】 真空処理室10の下部には、それぞれリーケージ型のバタフライバルブ13を介して、2台のターボ分子ポンプ14が接続されている。これらのターイポンプ16に接続されている。

請求項（抜粋）：

被処理物が配置され、所定の真空雰囲気で当該被処理物に処理を施す真空処理室と、前記真空処理室に接続された高真空ポンプと、前記高真空ポンプの排気側に接続された荒引き用真空ポンプと、前記真空処理室と前記高真空ポンプとの間に配設された開度調節可能なリーケージ型の調節弁とを具備したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-245526
  
• 特開昭63-205914
  
• 特開平1-161836
  
• 特開平2-052428
  
• 特開平2-094522