特許
J-GLOBAL ID：200903018080916118
トレンチ絶縁分離型半導体装置の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-287549
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129720
出願日： 1995年11月06日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板におけるトレンチ形成部の縁部すなわち肩部の形状を緩やかにして、此処における電界の集中を効果的に回避する。【解決手段】 半導体基板11の表面に酸化膜15いわゆるパッド酸化膜を介して耐酸化膜21を形成する工程と、耐酸化膜21と酸化膜15とを貫通し半導体基板11に堀り込まれたトレンチ13を形成するトレンチ形成工程と、等方性エッチングによって酸化膜15にトレンチ13の縁部から外側に向かって幅dをもって広がるアンダーカット部15uを形成するエッチング工程と、この酸化膜のアンダーカットによって露出された半導体基板の露出面を含んでトレンチの内表面に厚さtの酸化膜を形成する酸化工程とを経て目的とするトレンチ絶縁分離型半導体装置を構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に酸化膜を介して耐酸化膜を形成する工程と、前記耐酸化膜と前記酸化膜とを貫通して前記半導体基板に堀り込まれたトレンチ形成工程と、等方性エッチングによって前記酸化膜に前記トレンチの周縁から前記耐酸化膜下に向かって幅dをもって広がるアンダーカット部を形成するエッチング工程と、前記酸化膜の前記アンダーカットによって露出された前記半導体基板の露出面を含んで前記トレンチの内表面に厚さtの酸化膜を形成する酸化工程とを有することを特徴とするトレンチ絶縁分離型半導体装置の製法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 L
, H01L 21/302 P
