特許
J-GLOBAL ID：200903018081180239
表面分析方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-066041
公開番号（公開出願番号）：特開平6-249805
出願日： 1993年03月01日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 絶縁性の試料の帯電現象を防止して正確な分析を可能にする表面分析方法を提供する。【構成】 絶縁性の試料2の分析面2a以外の表面を第1の導電性膜10で覆っておき、そのようなものを分析装置の真空チャンバー内に導入し、そして分析面2aにイオンビーム4を照射してスパッタリングによって分析面2aの表面の不純物層を除去し(図2A)、次いで分析面2aおよびその周りに粒子12を被着させて、分析面2aを第2の導電性膜14で、しかもそれが導電性膜10につながるように覆う(図2B)。次いで、導電性膜14で覆われた分析面2aに励起源6を照射して分析を行う(図2C)。励起源6の照射時に導電性膜10は接地しておく。
請求項（抜粋）：
電子分光法によって絶縁性の試料の表面状態を分析する表面分析方法において、前記試料の分析面以外の表面を導電性膜で覆っておき、この導電性膜を電気的に接地した状態で試料に励起源を照射して分析を行うことを特徴とする表面分析方法。
IPC (2件)：
G01N 23/225
, G01N 23/227
