特許

J-GLOBAL ID：200903018092265589

半導体集積回路装置

発明者： 中村 公也
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機製作所
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164728
公開番号（公開出願番号）：特開平5-014156
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】スイッチング素子のスイッチング動作により負荷に電源電圧を供給する場合に、スイッチング動作に伴いスイッチング素子の構造に起因して生じるインダクタンス分によって発生するサージ電圧を防止する。【構成】1つの半導体基板上において、抵抗4とコンデンサ3の直列回路をスイッチング素子2と並列に接続する。その抵抗4とコンデンサ3の直列回路によって前記サージ電圧を吸収する。

請求項（抜粋）：

スイッチング素子のスイッチング動作に伴って前記スイッチング素子の構造に起因して生じるサージ電圧のオーバーシュートおよびリンギングの発生を防止するために、抵抗とコンデンサの直列回路と前記スイッチング素子とを並列に接続した回路を1つの半導体基板上に形成したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (7件)：

H03K 17/16 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 23/522 ,  H01L 23/556 ,  H01L 23/60 ,  H01L 23/62

FI (2件)：

H01L 27/06 F ,  H01L 27/06 101 P