特許

J-GLOBAL ID：200903018093284919

薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

発明者： 佐々木 芳高
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-288919
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126312
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】 MR素子が誘導型電磁変換素子の製造プロセスの影響を受けない小型の複合型薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 誘導型電磁変換素子2の上にMR素子3が積層されている。誘導型電磁変換素子2において、第1の磁性膜21及びコイル支持絶縁膜25は凹部13内に充填されている。ギャップ膜22は、第1のポール部211の表面、及び、コイル支持絶縁膜25の表面に付着されている。第2の磁性膜23は、ギャップ膜22の上に積層され、ギャップ膜22を介して第1のポール部211と対向する第2のポール部231を有し第1の磁性膜21と磁気的に結合され、磁気回路を構成している。バンプ27は電磁変換素子2、3の上に備えられている。

請求項（抜粋）：

基体と、誘導型電磁変換素子と、磁気抵抗効果型電磁変換素子と、複数の引出電極とを含む薄膜磁気ヘッドであって、前記基体は、表面に凹部を有しており、前記誘導型電磁変換素子は、第1の磁性膜と、コイル膜と、コイル支持絶縁膜と、ギャップ膜と、第2の磁性膜とを含んでおり、前記第1の磁性膜は、前記凹部の内面に付着され、前記凹部の外部において第1のポール部を形成しており、前記コイル支持絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、前記凹部内に充填されており、前記ギャップ膜は、前記コイル支持絶縁膜に隣接して付着されており、前記第2の磁性膜は、前記ギャップ膜に隣接して備えられ、前記ギャップ膜を介して前記第1のポール部と対向する第2のポール部を有し、前記第1の磁性膜と結合され磁気回路を構成しており、前記磁気抵抗効果型電磁変換素子は、前記誘導型電磁変換素子を基準にして、前記基体とは反対側に備えられており、前記引出電極は、前記電磁変換素子の入出力端子であって、前記基体の空気流出端側の側端面に備えられ、その一つのみが、前記誘導型電磁変換素子の前記コイル膜のパターンの面内に中心が位置するように、前記コイル膜のパターンの上に備えられている薄膜磁気ヘッド。

IPC (3件)：

G11B 5/31 ,  G11B 5/265 ,  G11B 5/39

FI (3件)：

G11B 5/31 K ,  G11B 5/265 F ,  G11B 5/39

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-084659   出願人：ティーディーケイ株式会社