特許

J-GLOBAL ID：200903018094573442

電子回路基板

発明者： 戸崎 博己 ,  吉田 亨 ,  鈴木 伸次 ,  武藤 雅彰
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225639
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063320
出願日： 1991年09月05日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【構成】セラミック基板1の表面に膜抵抗体3を形成する電子回路基板において、その膜抵抗体がルテニウム系酸化物の導電粉末とガラスとの混合物を主成分とし、そのガラス成分が金属酸化物換算で70〜80wt%のSiO2、30〜20wt%のB2O3、0.1〜5.0wt部のAl2O3からなる電子回路基板。【効果】熱膨張係数の小さなセラミック基板の表面に直接形成する膜抵抗体において、膜形成時にクラックの発生がなく、特に温度サイクル試験での抵抗体の抵抗値変化が小さく信頼性の高い安定した抵抗体を形成した電子回路基板を提供できるようになる。

請求項（抜粋）：

セラミック基板の表面に膜抵抗体を形成した電子回路基板において、基板として熱膨張係数が2x10~6/°C〜5x10~6/°Cのセラミックスを用い、膜抵抗体がルテニウム系酸化物の導電粉末とガラスとの混合物を主成分とし、そのガラス成分が金属酸化物換算で70〜80wt%のSiO2、30〜20wt%のB2O3、0.1〜5.0wt部のAl2O3からなることを特徴とする電子回路基板。

IPC (4件)：

H05K 1/03 ,  H01B 5/14 ,  H01C 7/00 ,  H05K 1/16