特許
J-GLOBAL ID：200903018094648043
イオン蒸着薄膜形成装置及び該装置を用いた成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204013
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058031
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【構成】 真空容器内に蒸発源、イオン源、基体ホルダ、イオン電流測定器及び膜厚モニタを備えたイオン蒸着薄膜形成装置であって、記憶手段、演算回路、蒸発粒子制御手段及び電極電流制御手段とからなるコントローラーを具備しているイオン蒸着薄膜形成装置。【効果】 成膜のためのパラメーターの設定、モニター方法が簡便であり、複雑なパラメーター間の関係の制御を自動的に行うため、成膜品の再現性の乏しさを無くすことができる。また、当装置の工業的な普及、応用範囲の拡大を図ることにより、無人運転化、成膜品の品質の再現性の確保という工業的に有効に利用することが可能となる。
請求項（抜粋）：
真空容器内に蒸発源、イオン源、基体ホルダ、基体ホルダ近傍に配設され、基体に照射されるイオンの個数を測定するためのイオン電流を検出するイオン電流測定器及び前記基体に到達する蒸発粒子の個数を測定する膜厚モニタを備えたイオン蒸着薄膜形成装置であって、前記イオン源が、少なくともフィラメント、アークチャンバ、加速電極、減速電極及び接地電極を有しており、前記真空容器内の真空度を一定に制御する真空度制御手段と、少なくとも所望の前記イオン電流値、前記基体に照射されるイオンの個数と前記基体に到達する蒸発粒子の個数との比及びイオン加速エネルギーの値を記憶する記憶手段と、前記イオン電流測定器が検出した前記基体に照射されるイオンの個数と前記記憶手段に入力された情報とから蒸発粒子の個数を算出する演算回路と、算出された前記蒸発粒子の個数に基づいて基体に到達する蒸発粒子の個数を一定になるように制御するとともに、前記基体に到達する蒸発粒子の蒸着速度及び膜厚を制御する蒸発粒子制御手段と、前記イオン源から前記基体に照射されるイオンの個数を一定になるように制御するとともに、照射されるイオンの加速エネルギーを制御する照射イオン制御手段とを含むコントローラを具備していることを特徴とするイオン蒸着薄膜形成装置。
IPC (2件)：
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