特許

J-GLOBAL ID：200903018097476944

インプレーンスイッチング方式液晶表示装置及びその製造方法

発明者： 金 秉 求 ,  河 龍 ▲ミン▼ ,  鄭 ▲フン▼
出願人/特許権者： エルジー.フィリップス エルシーデー カンパニー,リミテッド
代理人 (8件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  産形 和央 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-179023
公開番号（公開出願番号）：特開2005-037913
出願日： 2004年06月17日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】製造工程を単純化するインプレーンスイッチング方式液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上にデータライン及び光遮断膜を形成する段階と、前記基板上に多結晶シリコン薄膜を形成する段階と、前記多結晶シリコン薄膜をパターニングして画素電極ライン及びアクティブ領域を形成する段階と、前記基板上に第1絶縁膜を形成する段階と、前記基板上にゲート電極及び共通電極ラインを形成する段階と、前記基板上に第2絶縁膜を形成する段階と、前記データライン及びアクティブ領域の一部を露出させる第1コンタクトホールを形成する段階と、前記露出されたデータラインとアクティブ領域の一部とを連結する連結電極を形成する段階と、を含んでインプレーンスイッチング方式液晶表示装置を製造する。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

基板を提供する段階と、 前記基板上にデータライン及び光遮断膜を形成する段階と、 前記基板上に多結晶シリコン薄膜を形成する段階と、 前記多結晶シリコン薄膜をパターニングして画素電極ライン及びアクティブ領域を形成する段階と、 前記基板上に第1絶縁膜を形成する段階と、 前記基板上にゲート電極及び共通電極ラインを形成する段階と、 前記基板上に第2絶縁膜を形成する段階と、 前記データライン及びアクティブ領域の一部を露出させる第1コンタクトホールを形成する段階と、 前記露出されたデータラインとアクティブ領域の一部とを連結する連結電極を形成する段階と、を含むことを特徴とするインプレーンスイッチング方式液晶表示装置の製造方法。

IPC (3件)：

G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35

FI (3件)：

G02F1/1343 ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/35

Fターム (15件)：

2H092GA13 ,  2H092GA14 ,  2H092GA26 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092JB51 ,  2H092JB54 ,  2H092JB58 ,  2H092JB61 ,  5C094AA16 ,  5C094AA25 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 液晶表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-230262   出願人：松下電器産業株式会社