特許

J-GLOBAL ID：200903018099867924

光電変換素子

発明者： 齊藤 公彦 ,  石黒 信行 ,  福田 伸
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-163573
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018038
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【構成】 基板、第一の電極、第一のドープ型半導体薄膜、実質的に真性な半導体薄膜、第二のドープ型半導体薄膜、第二の電極の構成からなる、積層して形成される太陽電池において、実質的に真性な半導体薄膜がシリコンおよびゲルマニウムから成る微結晶性半導体薄膜により構成される光電変換素子。【効果】 従来の光電変換素子に比べ、特に長波長光に対する外部量子効率向上による短絡光電流の改善により電池特性が向上し、かつ光安定性が改善して、光電変換効率が大きく向上する。

請求項（抜粋）：

基板、第一の電極、第一のドープ型半導体薄膜、実質的に真性な半導体薄膜、第二のドープ型半導体薄膜、第二の電極の構成からなる、積層して形成される光電変換素子において、該実質的に真性な半導体薄膜がシリコンおよびゲルマニウムから成る微結晶性半導体薄膜により構成されることを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 31/04 N ,  H01L 21/205