特許
J-GLOBAL ID：200903018101234500
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-005880
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211783
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 N型チャネルのMOSトランジスタの高耐圧化、およびP型チャネルのMOSトランジスタの閾値電圧などの電気特性の制御性の改善を行なうことが可能な製造方法を提供する。【構成】 ゲート電極9形成後の熱酸化工程を行う前に、P型チャネルのMOSトランジスタ領域のみに窒化シリコン8を形成し、窒化シリコン8をマスクに熱酸化を行い、N型チャネルのMOSトランジスタのゲート電極9のみにゲートバーズビーク2を形成する工程を追加する。【効果】 N型チャネルのMOSトランジスタのゲート電極近傍の電界緩和による高耐圧化と、P型チャネルのMOSトランジスタの閾値電圧などの電気特性の制御性を改善することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にP型ウェルとN型ウェルを形成し、素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する工程と、ゲート酸化膜とゲート電極を全面に形成し、ホトエッチング処理により、ゲート電極とゲート酸化膜をパターニングする工程と、全面に窒化シリコンを形成し、窒化シリコンをホトエッチング処理によりP型チャネルのトランジスタ形成領域にパターニングする工程と、窒化シリコンとフィールド酸化膜の整合するP型ウェルとゲート電極とを熱酸化し、マスク酸化膜を形成する工程と、窒化シリコンとゲート電極とフィールド酸化膜との整合するP型ウェルにN型低濃度拡散領域を形成する工程と、窒化シリコンを除去する工程と、ホトリソグラフィー処理により感光性樹脂をN型チャネルのトランジスタ形成領域にパターニングし、感光性樹脂とゲート電極とフィールド酸化膜との整合するN型ウェルにP型低濃度拡散領域を形成し、感光性樹脂を除去する工程と、全面に酸化膜を形成し、異方性エッチング法により、酸化膜をエッチングし、ゲート電極の側壁のみに酸化膜のサイドウォールを形成する工程と、サイドウォールとゲート電極とフィールド酸化膜との整合するP型ウェルにN型高濃度拡散領域を形成する工程と、サイドウォールとゲート電極とフィールド酸化膜との整合するN型ウェルにP型高濃度拡散領域を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成する工程と、加熱処理を行い、N型低濃度拡散領域とP型低濃度拡散領域とN型高濃度拡散領域とP型高濃度拡散領域との不純物を活性化する工程と、ホトエッチング処理により層間絶縁膜に接続穴を形成する工程と、配線を形成する工程とを有することを特徴する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
