特許
J-GLOBAL ID：200903018103514934
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-080988
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295847
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエーハの周辺部に設けられるウエーハ識別領域の形成方法に関し、ウエーハの自動識別作業の簡略化及び識別率の向上を図ることを目的とする。【構成】 ウエーハ識別用刻印文字列4が形成されたウエーハ識別領域3を周辺部に有する半導体ウエーハ1上に多層配線を形成するにあたり、該多層配線を構成する複数層の配線材料膜を配線パターン形状にパターニングするに際して、該複数層の配線材料膜6、8、10の中の一層の配線材料膜6のみを該ウエーハ識別領域3上に残留せしめ、該一層の配線材料膜6以外の配線材料膜は総て該ウエーハ識別領域3上から除去する工程を有するように構成する。
請求項（抜粋）：
ウエーハ識別用刻印文字列が形成されたウエーハ識別領域を周辺部に有する半導体ウエーハ上に多層配線を形成するにあたり、該多層配線を構成する複数層の配線材料膜を配線パターン形状にパターニングするに際して、該複数層の配線材料膜の中の一層の配線材料膜のみを該ウエーハ識別領域上に残留せしめ、該一層の配線材料膜以外の配線材料膜は総て該ウエーハ識別領域上から除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02
, H01L 21/3205
