特許

J-GLOBAL ID：200903018105597462

ドライエッチング方法及び装置並びにゲート電極形成方法及び装置

発明者： 西澤 孝則 ,  西木戸 健樹
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-333135
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151468
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 エッチングにおけるメタル層の形状制御性に優れると共に、ERマイクロローディングを十分に抑制できるドライエッチング方法及び装置並びにゲート電極形成方法及び装置を提供する。【解決手段】 ドライエッチング装置10は、SiウェハWが収容されるチャンバ12に、ガス混合室30を介して、それぞれSF6ガス、N2ガス、CF4ガス及びO2ガスの供給源32,38,40,42が接続されたものである。本発明によるドライエッチング方法では、この装置10を用い、チャンバ12内のSiウェハW上に上述の混合ガスを供給し、チャンバ12内にプラズマを形成させて異方性のドライエッチングを行う。これにより、従来のCl2ガスを用いなくても十分な形状制御性が達成されると共に、エッチングされたメタル層の側壁の保護効果が高められ、ERマイクロローディングを改善できる。

請求項（抜粋）：

主としてタングステン原子を含むメタル層が形成されて成る基体をエッチングするドライエッチング方法であって、前記基体上に、フッ素原子を含む第1のガスと、炭素原子及びフッ素原子を含む第2のガスと、窒素原子を含む第3のガスと、を供給するガス供給工程と、前記各ガスを含む雰囲気中にプラズマを形成せしめるプラズマ形成工程と、を備えるドライエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/43

FI (6件)：

C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/88 D ,  H01L 29/62 G

Fターム (55件)：

4K057DA11 ,  4K057DA12 ,  4K057DB06 ,  4K057DB08 ,  4K057DB11 ,  4K057DB12 ,  4K057DB15 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE11 ,  4K057DE20 ,  4K057DG12 ,  4K057DG13 ,  4K057DN01 ,  4M104AA01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD66 ,  4M104DD71 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F004AA01 ,  5F004AA02 ,  5F004BA20 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004CB02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB00 ,  5F004DB02 ,  5F004DB10 ,  5F004EA13 ,  5F004EB02 ,  5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ28 ,  5F033VV06 ,  5F033XX00