特許

J-GLOBAL ID：200903018108787629

半導体レーザ素子

発明者： 築地 直樹
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-172447
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007221
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 素子の寿命を向上させた半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体基板7上に、活性層1、Au合金からなる電極2を順次積層した半導体レーザ素子において、前記電極2を活性層1の発光部直上を避けて形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、活性層、Au合金からなる電極を積層した半導体レーザ素子において、前記電極を活性層の発光部直上を避けて形成したことを特徴とする半導体レーザ素子。