特許
J-GLOBAL ID：200903018109667481
GMR再生ヘッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-123642
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326024
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 GMRおよびDMRの効果を同時に達成することができる磁気抵抗再生ヘッドを製造する。【構成】 磁性薄膜層16、18、20と非磁性薄膜層22、24とが交互に基板12上に蒸着される。中央の薄膜層24、28を境に、両側に非磁性層22を挟んだ磁性層20の組合せを形成する。
請求項（抜粋）：
基板(12)と、この基板(12)上に交互に積層形成された磁性導電層(16、18、20)および非磁性導電層(22、24)を有し、中間非磁性導電層(22、24)を間に置いて磁性導電層(16、18、20)同士に反強磁性結合を生じさせ、この反強磁性結合によって、外部磁界または電流通過によって誘発される内部磁界が作用しないときに、隣り合う磁性導電層(16、18、20)の磁化ベクトルを互いに反平行に整列させる一方で、外部磁界の作用によって隣り合う磁性導電層(16、18、20)の磁化ベクトルが回転し、ほぼ平行な配列になることによって巨大磁気抵抗効果を発揮するときに、抵抗値の変化を生じる薄膜多層構造と、この薄膜多層構造に電流通過を生じさせ、この電流通過で生じる磁界によって、ほぼ中央に位置する非磁性導電層(24)の一側に存在する第1の磁性導電層群(16、20)における電流通過方向を横切る軸に沿った磁化有効成分に対して、その中央の非磁性導電層(24)の他側に存在する第2の磁性導電層群(18、20)における電流通過方向を横切る軸に沿った磁化有効成分の大きさが等しく、向きが反対である磁化状態を維持し、これによって前記薄膜多層構造を二重磁気抵抗再生ヘッドとして作用させる電流通過生成手段と、印加される磁界に応答してこの磁気抵抗ヘッド(10)に生じる固有抵抗変化を感知する手段とを備える磁気抵抗再生ヘッド。
IPC (3件)：
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01L 43/08
