半導体パターン形状評価装置および形状評価方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-340268
公開番号（公開出願番号）：特開2007-147366
出願日： 2005年11月25日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】従来必要であった各工程に合わせたデータ変換を不要とし、また保有データを一括管理して、各工程に利用することが有効なデータを保有データから容易に選択することができ、また、形成パターンの形状に時間変動があった場合にも、時系列データをもとに撮像レシピの修正を行い、安定な計測が可能な撮像レシピを生成することができる半導体製造技術を提供する。【解決手段】測長SEMを用いた半導体パターンの形状評価装置において、データベース301に記憶された多種データを一括管理するために、多種データ間の座標系を対応付けし、多種データの一部あるいは全てを任意に選択し、選択されたデータを利用して測長SEMにおいて半導体パターンを観察するための撮像レシピを生成する。また、前記多種データを時系列で管理し、パターン形状の変動があった場合に撮像レシピを修正する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

走査型電子顕微鏡を用いた半導体パターンの形状評価装置であって、前記半導体パターンのレイアウト情報が記載されたCADパターン設計データおよびパターン設計に用いる多種データを記憶するデータベースと、前記データベースに記憶された多種データを一括管理するデータ処理手段と、前記データ処理手段で一括管理するために多種データ間の座標系を対応付ける対応付け手段と、前記データベースから多種データの一部あるいは全てを任意に選択する選択手段と、前記選択手段で選択されたデータを利用して、前記走査型電子顕微鏡において前記半導体パターンを観察するための撮像レシピを生成する生成手段とを備えたことを特徴とする半導体パターン形状評価装置。

IPC (3件)：

G01N 23/225 , H01L 21/027 , G01B 15/04

FI (3件)：

G01N23/225 , H01L21/30 502V , G01B15/04 K

Fターム (22件)：

2F067AA54 , 2F067BB27 , 2F067CC17 , 2F067HH06 , 2F067JJ05 , 2F067KK04 , 2F067KK08 , 2F067LL16 , 2F067RR29 , 2F067RR44 , 2G001AA03 , 2G001BA07 , 2G001BA15 , 2G001CA03 , 2G001DA09 , 2G001GA01 , 2G001GA06 , 2G001HA01 , 2G001HA13 , 2G001KA03 , 2G001LA11 , 2G001MA05

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