特許

J-GLOBAL ID：200903018113771455

半導体キャパシタおよびその製造方法

発明者： ジョージ アルゴス ジュニア ,  ソッタム エス カルクル
出願人/特許権者： ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295433
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218303
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体キャパシタの実効誘電率を大きくすること。【構成】 基板と、バッファ層と、強誘電体材料の層と、上側電極とをもって半導体構造のためのキャパシタを形成する。このキャパシタには、基板とバッファ層との間にポリシリコンの層を設けてもよい。このキャパシタは、基板、バッファ層、および強誘電体材料の層を設けた後、このバッファ層および強誘電体材料の層の画成およびアニールを行い、その後上側電極を形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板の上側に位置させたバッファ層と、該バッファ層の上側に位置させた強誘電体材料の層と、該強誘電体材料の層の上側に位置させた上側電極とを具えることを特徴とする半導体キャパシタ。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-227052
  
• 特開平2-283022
  
• 特開平3-019373
  
• 特開平4-133369