特許

J-GLOBAL ID：200903018113965160

半導体記憶装置

発明者： 桜井 幹夫 ,  田中 美紀
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-072197
公開番号（公開出願番号）：特開平7-282582
出願日： 1994年04月11日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 イコライズ時間に影響されず高速なデータ読出を行なうことができる半導体記憶装置を提供する。【構成】 メモリセルアレイ5に含まれる選択されたビット線対と2つのデータ入出力線対IOA、IOBのうち一方とコラムスイッチ7により接続し、読出されたデータを切換回路11を介してプリアンプ12へ出力する。また、データ入出力線対IOA、IOBのうちデータ伝送に使用されていないデータ入出力線対をイコライズ回路10によりイコライズする。したがって、データ読出とイコライズ動作が平行して実行され、高速なデータ読出を行なうことが可能となる。

請求項（抜粋）：

複数のワード線と、前記ワード線と交差して配置された複数のビット線対と、前記ワード線と前記ビット線対との交点に配置された複数のメモリセルとを含むメモリセルアレイと、前記メモリアレイから出力されるデータおよび前記メモリアレイに入力されるデータを伝送する第1および第2データ入出力線対と、読出時に選択された前記ビット線対と前記第1または第2データ入出力線対とを選択的に接続する接続手段と、前記第1または第2データ入出力線対のうちデータ伝送に使用されていないデータ入出力線対をイコライズするイコライズ手段とを含む半導体記憶装置。