特許
J-GLOBAL ID：200903018124316393
プラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石戸 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-021256
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230956
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ発生室の内壁の温度を均一に保持し、CVD処理に於ける膜質を向上し、装置の連続運転時間を大幅に延長する。【構成】 処理室9内に内室56を設け、該内室56にプラズマ発生室26を設けて2重構造とし、処理室9内壁と断熱板12を設けた内室56外壁との間に空間を設け、プラズマ発生室26内部を、側壁カバー23、上電極カバー22及び下電極カバー24よりなる石英等の絶縁物で覆う構成とする。
請求項（抜粋）：
処理室内に内室を設け、該内室にプラズマ発生室を設けて2重構造としたプラズマCVD装置において、処理室内部と断熱板を設けた該内室の間に空間を設け、プラズマ発生室内部を絶縁物で覆うことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/31
, H05H 1/46
