特許

J-GLOBAL ID：200903018127222594

受光素子

発明者： 山本 元彦 ,  久保 勝
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-091269
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302844
出願日： 1993年04月19日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 分割フォトダイオードの分割部分における光の表面反射率を低減し、外来ノイズに対する耐性を向上する。【構成】 N- 型エピタキシャル層2および4の間にアノード拡散層3,3を埋込み、受光面側に全面に反射防止膜8を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、その半導体基板に埋込まれた複数の第1の導電型の半導体層と、その上に積層された第2の導電型の半導体層と、第2の導電型の半導体層の受光面側表面を覆う反射防止膜と、を有することを特徴とする受光素子。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/76 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/04 F