特許
J-GLOBAL ID：200903018131917629
電気的にプログラム可能なメモリ及びメモリへのデータ書き込み方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-354549
公開番号（公開出願番号）：特開平8-235887
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【解決手段】本発明は、電気的にプログラム可能なメモリ及びこのメモリ内に書き込みを行うための方法に関する。本発明は、同一行に属する他のセルの多数回書き込みサイクルの後のメモリセルの情報の劣化を防止するために、ある行内のワードの各書き込みサイクルの前に実行されるシーケンスを含む。3つの異なる読み出し基準電位を用いたある行の全ワードのシステマティックな読み出しが、3回の読み出しサイクルのうちいずれか2つの間の結果に不適合性があるセルを検出するために、実行される。その行のワードはレジスタに記憶される。その行における情報の劣化を示す不適合結果が検出された場合には、その行の全ワードにシステマティックな再書き込みが行われる。
請求項（抜粋）：
電気的にプログラム可能なメモリのメモリセル行内のメモリセル群にワードを書き込むための方法であって、上記メモリセル行内の少なくとも1つのメモリセルについて3つの読み出し結果を発生するために、異なる読み出し基準値を用いて上記メモリセル行内の少なくとも1つのセルの状態を読み出すステップ、上記少なくとも1つのメモリセルの1メモリセルについての3つの読み出し結果の適合性を確認するステップ、1メモリセルについて適合性の欠如が見出された場合には上記メモリセル群が属するメモリセル行を再書き込みするステップ、及び、メモリセル群にワードの書き込みを行うステップからなることを特徴とする方法。
FI (2件)：
G11C 17/00 510 A
, G11C 17/00 520 A
