特許
J-GLOBAL ID：200903018136442548
薄膜半導体成長法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253219
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094959
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】従来の弾性散乱光の検出によらず、固体中の原子レベルでの微妙な構造変化に敏感な非弾性散乱光をモニターすることにより、固-固相変化を高精度で、均一性よく制御する薄膜成長法。【構成】薄膜半導体中の固-固相成長を促進するにあたって外部注入光エネルギー源としてレーザを照射しつつ、同時に同外部注入光エネルギー自身もしくはモニター用外部光エネルギーの非弾性散乱光を検出・フィードバックすることにより、非晶質-結晶相変化、微結晶-結晶変化、密度変化など固-固相反応の進行をその場観察で高精度で制御し得る。
請求項（抜粋）：
外部からエネルギーを注入して半導体薄膜の固-固相反応を促進させる薄膜半導体成長法において、注入エネルギーと物質との非弾性相互作用の結果生じる非線形物理・化学量を上記外部注入エネルギー照射によって生じる非弾性散乱光を検出することにより、非晶質-結晶相変化、微結晶-結晶変化、多結晶-単結晶変化、結晶配向変化、密度変化などの固-固相変化を検出する手段を含む薄膜半導体成長法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
