特許
J-GLOBAL ID：200903018136455860
電子素子のコーティング方法及び同方法の実施装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-112359
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106995
出願日： 1996年05月07日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】 電気接触子を支持する絶縁フィルムに配置された少なくと1つの半導体チップを有し、半導体チップが絶縁フィルムに形成された穴を貫通する接続ワイヤによって電気接触子に接続された電子素子のコーティング方法を提供する。【解決手段】 半導体チップを受け入れるための領域のまわりで絶縁フィルム内に穴を作り、前記領域内の絶縁フィルムに半導体チップを配置し、前記接続ワイヤを半導体チップと前記電気接触子との間で接続し、一滴の樹脂を半導体チップ上及び接続ワイヤ上に一沈着させ、この滴が穴だけによって構成される外形を呈する。
請求項（抜粋）：
電気接触子を支持する絶縁フィルム上に配置された少なくとも1つの半導体チップを有し、該半導体チップは前記絶縁フィルムに形成された穴を貫通する接続ワイヤによって該電気接触子に接続される、電子素子のコーティング方法であって、半導体チップを受け入れるための領域のまわりで絶縁フィルム内に穴を作ること、半導体チップを領域内で絶縁フィルム上に配置すること、接続ワイヤを半導体チップと電気接触子との間に接続すること、及び一滴の樹脂を半導体チップ上及び接続ワイヤ上に沈着させ、該滴が前記穴だけによって構成された外形を示すことを呈する電子素子のコーティング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/56
, H01L 21/60 301
, H01L 23/28
H01L 21/56 E
, H01L 21/60 301 A
, H01L 23/28 Z
