特許

J-GLOBAL ID：200903018142376743

固体電解コンデンサ内蔵基板およびその製造方法

発明者： 小林 正明 ,  横内 祐美子
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 大石 皓一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-063337
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359161
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体と、箔状の弁金属基体に、絶縁性酸化皮膜、固体高分子電解質層および導電体層が、順次、形成された固体電解コンデンサであって、回路基板に内蔵するのに適した固体電解コンデンサを提供する。【解決手段】 表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体2と、箔状の弁金属基体2に、少なくとも、絶縁性酸化皮膜9、固体高分子電解質層11および導電体層12、13が、順次、形成された固体電解コンデンサであって、表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体2の一端部近傍領域に、箔状の導電性金属基体3の一端部近傍領域が、金属間が電気的に接続されるように、接合されて、接合部4が形成され、箔状の弁金属基体2の接合部4に隣接する部分に、非粗面化領域5が形成され、非粗面化領域5上に、絶縁性かつ疎水性の被覆6が形成された陽極電極1を備えた固体電解コンデンサ。

請求項（抜粋）：

表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体と、前記箔状の弁金属基体に、少なくとも、絶縁性酸化皮膜、固体高分子電解質層および導電体層が、順次、形成された固体電解コンデンサであって、表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された前記箔状の弁金属基体の一端部近傍領域に、箔状の導電性金属基体の一端部近傍領域が、金属間が電気的に接続されるように、接合されて、接合部が形成され、少なくとも前記箔状の弁金属基体の前記接合部に隣接する部分に、非粗面化領域が形成され、前記非粗面化領域上に、絶縁性かつ疎水性の被覆が形成された陽極電極を備えた少なくとも1つの固体電解コンデンサが、絶縁基板の一方の面に取り付けられされたことを特徴とする固体電解コンデンサ内蔵基板。

IPC (4件)：

H01G 9/04 ,  H01G 9/00 ,  H01G 9/00 321 ,  H01G 9/012

FI (4件)：

H01G 9/00 321 ,  H01G 9/05 H ,  H01G 9/24 C ,  H01G 9/05 P