電子装置の製造方法およびこれを用いた電子装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-038452
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238733
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】微細で低抵抗の銀配線を用いた、高集積度半導体装置等の電子装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、銀鏡反応により銀配線層9aを形成し、これをCMPやエッチングによりパターニングして銀配線9を形成する。【効果】銀配線層は室温程度で形成でき、基板に過度の熱履歴を与えることがない。また形成される銀配線層は鏡面を有し、微細加工に適する。

請求項（抜粋）：

基板上に銀配線を形成する工程を有する電子装置の製造方法であって、前記銀配線の形成工程は、前記基板上に銀配線層を銀鏡反応により形成する工程と、前記銀配線層をパターニングする工程とを具備することを特徴とする電子装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/288

FI (2件)：

H01L 21/88 B , H01L 21/288 M

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