特許

J-GLOBAL ID：200903018145076791

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 糸賀 敏彦 ,  高嵜 幸男 ,  海東 拓生 ,  賀茂 尚広 ,  大倉 理
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-310855
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124469
出願日： 2001年10月09日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】下地が窒化シリコン膜単層である場合、界面の準位が増大して、素子特性が悪くなる問題がある。下地膜がPE-CVD法により形成した酸化膜の場合、多くの欠陥および不純物を含むため、やはり界面の準位が多く、素子特性が悪くなってしまう。【解決手段】窒化シリコン膜と半導体薄膜界面の準位が多いという問題については、窒化シリコン膜表面を酸化し、表面部分を酸窒化シリコン膜とする。また、PE-CVD法で形成した酸化シリコン膜の欠陥、不純物に起因する問題については、シリコン薄膜を酸化した酸化シリコン膜を使用する。

請求項（抜粋）：

耐熱性650°C以下の絶縁体基板上に形成されている薄膜トランジスタであり、薄膜トランジスタは、最低限、半導体薄膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極からなり、前記薄膜トランジスタと絶縁基板間には、最低限1層の絶縁基板保護膜が形成されており、薄膜トランジスタの半導体薄膜と接する絶縁体基板保護膜は、シリコン薄膜を酸化したシリコン酸化膜であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/316 A ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 617 T

Fターム (37件)：

5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BF72 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03