特許

J-GLOBAL ID：200903018146415050

カーボンナノチューブ成長方法

発明者： 本間 芳和 ,  クニール プラブハカラン ,  荻野 俊郎
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 雨宮 正季
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-084315
公開番号（公開出願番号）：特開2002-285334
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板上にカーボンナノチューブを成長する方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板上に触媒の存在下に炭化水素を反応させ、カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブ成長方法において、前記触媒は遷移金属の酸化物であることを特徴とする。【効果】 遷移金属酸化物を触媒として使用することにより、シリコン基板上に効率よくカーボンナノチューブを成長させることができる。したがって、シリコン基板の特定の位置にカーボンナノチューブを形成して他のシリコン素子と結合する工程に応用することができ、カーボンナノチューブの素子応用に多大な進歩をもたらすことができる。

請求項（抜粋）：

触媒の存在下に炭化水素を反応させ、シリコン基板上にカーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブ成長方法において、前記触媒は遷移金属の酸化物であることを特徴とするカーボンナノチューブ成長方法。

IPC (3件)：

C23C 16/26 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101

FI (3件)：

C23C 16/26 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 F

Fターム (13件)：

4G046CA02 ,  4G046CB00 ,  4G046CB09 ,  4G046CC03 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4K030AA09 ,  4K030AA22 ,  4K030BA27 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10