特許
J-GLOBAL ID：200903018147952661
集積回路製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148745
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160251
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】本発明は半導体基板内に空気が充填されたアイソレーシヨントレンチを形成する方法を改善する。【構成】半導体基板の不活性化表面19上に等角CVDシリコン二酸化物38を堆積する。その後交差トレンチが形成され、等角CVDシリコン二酸化物38の下から連続的に除去できる水溶性ガラス及びポリイミドのようなポリマ材料により当該トレンチを部分的に埋める。等角CVDシリコン二酸化物38は半導体基板の不活性化表面19にエツチングバツクされ、トレンチ交差においてこのトレンチ充填材料にまで達する開口を当該等角CVDシリコン酸化物38に形成する。充填材料はこの開口を介して除去される。非等角CVDシリコン二酸化物48を堆積してこの開口を埋め、シリコン二酸化物キヤツプ38を残して空気が充填されたトレンチをブリツジする。
請求項（抜粋）：
空気が充填されたアイソレーシヨントレンチをシールするためにシリコン二酸化物キヤツプによつて被覆された上記空気が充填されたアイソレーシヨントレンチをもつ集積回路を製造する方法において、半導体基板の不活性化表面にトレンチを形成するステツプと、上記シリコン二酸化物キヤツプの複数の小さな開口を介して除去できる材料により上記トレンチを部分的に埋めるステツプと、上記不活性化表面上にシリコン二酸化物層を堆積することにより、上記シリコン二酸化物層は上記トレンチを埋めるステツプと、上記トレンチ内の上記材料にまで達する開口を上記シリコン二酸化物層に形成するステツプと、上記開口を介して上記トレンチから上記材料を除去するステツプと、シリコン二酸化物を堆積することにより上記開口を埋めるステツプとを具えることを特徴とする集積回路製造方法。
引用特許：
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