特許
J-GLOBAL ID：200903018154544420
薄膜素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-194397
公開番号（公開出願番号）：特開平10-038727
出願日： 1996年07月24日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 高いゲージ率と低い温度係数を保ちながら、高い抵抗率を有し、その結果、小型のダイヤフラム上にも容易に加工ができる薄膜素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 金属基板1上にプラズマCVD法によりシリコン酸化膜2を形成し、シリコン酸化膜2上に、電子ビーム蒸着法を用いて、Cr,酸素及び窒素を主体とし、かつ、酸素含有量が10〜40原子%となり、窒素含有量が10〜20原子%となる薄膜歪みゲージ3を形成し、薄膜歪みゲージ3の端末部に、アルミニウム(Al)から成る電極配線4を形成する。そして、金属基板1の電極配線4が形成された面側に、プラズマCVD法によりシリコン酸化膜5を形成し、電極配線4上のシリコン酸化膜5にエッチングによりコンタクトホール6を形成する。
請求項（抜粋）：
Cr,酸素及び窒素を含んで成り、酸素含有量が10〜40原子%であり、窒素含有量が10〜20原子%であることを特徴とする薄膜素子。
IPC (5件)：
G01L 9/04 101
, G01L 1/22
, H01C 7/00
, H01C 17/08
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, G01L 1/22 M
, H01C 7/00
, H01L 29/84 A
, H01C 17/08
