特許
J-GLOBAL ID：200903018160941911
半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
原 謙三
, 木島 隆一
, 金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-114894
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319915
出願日： 2003年04月18日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】複数のレーザー素子における相対的な位置精度を高い状態に保ちつつ、クロストークの影響を抑制できる半導体レーザー装置の製造方法を提供する。【解決手段】まず、単一の基板21上に複数の発光部12a・13aを形成し、サブマウント11に搭載する。そして、サブマウント11に搭載した基板21を、発光部12a・13aの間の中間地点Mでを切断する。このように製造されたレーザー装置では、モノリシックに形成された2つのレーザー素子12・13を備えることになるので、それらの間の相対的な位置精度を高くできる。各レーザー素子12・13間で基板21が分断されているため、熱や電気が基板21を伝導することを防止でき、熱的・電気的クロストークを大幅に抑制できる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
サブマウント上に複数の半導体レーザー素子を備えた半導体レーザー装置の製造方法において、
単一の基板上に、半導体材料からなる層構造を積層して複数の発光点を形成する発光点形成工程と、
複数の発光点を有する上記の基板を、サブマウントに搭載するマウント工程と、
その後、上記基板を発光点間に応じた部位で切断することで、基板と発光点とを含む複数のレーザー素子をサブマウント上に形成する基板切断工程と、
を有することを特徴とする半導体レーザー装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01S5/022
, H01S5/02
, H01S5/40
H01S5/022
, H01S5/02
, H01S5/40
5F073AB04
, 5F073BA04
, 5F073BA07
, 5F073CA14
, 5F073DA22
, 5F073DA34
, 5F073EA27
, 5F073EA29
, 5F073FA06
, 5F073FA15
, 5F073FA23
, 5F073FA27
, 5F073FA30
