特許
J-GLOBAL ID：200903018167488643
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212497
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056080
出願日： 1996年08月12日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 窒化膜/酸化膜,あるいは窒化膜/シリコンの高選択エッチングを可能とし,微細なコンタクト構造を得る。【解決手段】 1)シリコン基板上にフィールド酸化膜を形成し,該シリコン基板上にポリシリコン膜, シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜を順に成長し,これらの膜をパターニングしてゲートを形成し,ゲートの両側の該シリコン基板内にソース, ドレインを形成する工程と, 次いで, 該フィールド酸化膜上に存在するゲートを露出する無機質材料からなるハードマスクを形成する工程と, 次いで,該ハードマスクをマスクにして該シリコン窒化膜をエッチングする工程とを含む,2)前記ハードマスクがアモルファスカーボンまたはポリシリコンまたはアモルファスシリコンからなる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にフィールド酸化膜を形成し,該シリコン基板上にポリシリコン膜, シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜を順に成長し,これらの膜をパターニングしてゲートを形成し,ゲートの両側の該シリコン基板内にソース, ドレインを形成する工程と,次いで, 該フィールド酸化膜上に存在するゲートを露出する無機質材料からなるハードマスクを形成する工程と,次いで, 該ハードマスクをマスクにして該シリコン窒化膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8244
, H01L 27/11
