特許
J-GLOBAL ID：200903018173425734
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103928
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283693
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は薄膜トランジスタの製造におけるスループット向上を目的とする。【構成】 原料ガスを分解する紫外光5を基板の裏面から照射した、所定領域に所定形状のゲート絶縁膜を形成する。【効果】 本発明の薄膜トランジスタの製造方法によれば、スループット・生産性を高くできる。
請求項（抜粋）：
透光性絶縁基板上にゲート電極を形成する工程と、原料ガスを分解する散乱光を前記透光性絶縁基板の裏面から照射して、前記ゲート電極上の中央部よりも端部で厚い第1のゲート絶縁層を光CVD法によって形成するとともに、このゲート電極全面に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、この第1及び第2のゲート電極上に半導体の活性層を形成する工程と、この活性層の両側にソースおよびドレイン領域を形成する工程とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/784
, C23C 14/22
, C30B 25/02
, H01L 21/268
