特許
J-GLOBAL ID：200903018177575897

装置

発明者：
友広 秀和

友広 秀和 について

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藤井 雅行

藤井 雅行 について

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佐藤 典生

佐藤 典生 について

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山田 智行

山田 智行 について

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草野 富雄

草野 富雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-003413
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241766
出願日： 2004年01月08日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
【課題】 本発明は、従来よりも高い光反射率を持つ半導体装置用のリードフレームを提供する。【解決手段】 リードフレーム100は、例えば銅薄板であるリードフレーム素材101の略全面に、ニッケルめっき102、パラジウムめっき103、金フラッシュめっき104をこの順に施し、さらに、当該半導体装置の外囲器に囲繞される部分であるインナー部の一部に選択的に銀めっき105を施して構成される。銀めっき105を0.1μm以上の厚さに施すことによって良好な光反射率が得られる。リードフレーム100は、さらに破線で示した領域に形成される前記外囲器の台部を含んでもよい。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
リードフレーム素材の上に複数層の金属被膜が形成されてなる半導体装置用リードフレームであって、 前記半導体装置の外囲器に囲繞されることとなるインナー部を有し、 前記インナー部の最表層に形成される金属被膜は銀又は銀合金被膜である ことを特徴とするリードフレーム。
IPC (2件)：
H01L23/50 ,  H01L33/00
FI (2件)：
H01L23/50 V ,  H01L33/00 N
Fターム (13件)：
5F041AA04 ,  5F041AA44 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA22 ,  5F041DA26 ,  5F041DA43 ,  5F041DB09 ,  5F067AA00 ,  5F067DC19 ,  5F067DE01 ,  5F067DF01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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