特許

J-GLOBAL ID：200903018182027890

半導体装置およびその製造に使用される成形装置

発明者： 船津 勝彦 ,  三上 昭夫 ,  曽場 匠 ,  萩原 義美 ,  武藤 晃
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-175388
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008177
出願日： 1995年06月19日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 アウタリード間のトラッキング劣化を防止する。【構成】 樹脂封止パッケージを備えているパワートランジスタ18のアウタリード4と6の間、5と6との間におけるアウタリード間パーティング面痕17、17は、隣合うアウタリード4と6、5と6同士を結ぶ線分上からそれぞれ離間されている。【効果】 万一、アウタリード間パーティング面痕に塵埃や水分が溜まってアウタリード間パーティング面痕が電解質液によって汚染されたとしても、アウタリード間に高電圧が印加された際にアウタリード間で局部的な放電が発生することがないため、隣合うアウタリード間に炭化導電路が発生するのは防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体素子が作り込まれた半導体ペレットと、半導体ペレットに電気的に接続された複数本のインナリードと、各インナリードに一体的に連結されたアウタリードと、半導体ペレットおよびインナリード群を樹脂封止する樹脂封止体とを備えており、この樹脂封止体の外周面にパーティング面痕が形成されている半導体装置において、前記パーティング面痕のうち隣合うアウタリード間に形成されるアウタリード間パーティング面痕は、隣合うアウタリード同士を結ぶ線分上からそれぞれ離間されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/28 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  B29C 45/26 ,  H01L 21/56 ,  B29L 31:34

FI (5件)：

H01L 23/28 J ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  B29C 45/26 ,  H01L 21/56 T