特許
J-GLOBAL ID:200903018191970880

導電性接触子のホルダ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大島 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-215312
公開番号(公開出願番号):特開2000-046867
出願日: 1998年07月30日
公開日(公表日): 2000年02月18日
要約:
【要約】【課題】 導電性針状体の突出量を高精度化し得ると共にウェハに対する高温雰囲気下における多点同時測定時の位置精度を向上する。【解決手段】 ホルダを構成するプレート3を、第1のシリコン層4と、シリコン酸化膜5と、第2のシリコン層6とを積層した状態に形成し、第1のシリコン層4及びシリコン酸化膜5に小径孔部7を、第2のシリコン層6に大径孔部8を形成し、導電性針状体9の頭部9aを小径孔部7により支持すると共に、導電性針状体9のフランジ部9b及び圧縮コイルばね10を大径孔部8により受容して、導電性接触子1を形成する。フランジ部がシリコン酸化膜に衝当して突出量が規制されることから、導電性針状体の突出量を高精度化し得る。特に、シリコンウェハと同一の材質であることから、ウェハの高温雰囲気下でのテストにおける多点同時測定の場合の各針状体間の位置がずれることがない。
請求項(抜粋):
被接触体に接触させる頭部と当該頭部に同軸的に設けられかつ該頭部よりも拡径されたフランジ部とを有する導電性針状体を軸線方向に出没自在に支持すると共に、前記頭部を突出させる方向に前記フランジ部を弾発付勢する圧縮コイルばねを受容する導電性接触子のホルダであって、前記ホルダが、前記頭部を同軸的に往復動自在に支持する小径孔部を形成された第1のシリコン層と、前記フランジ部及び前記圧縮コイルばねを受容する大径孔部を形成された第2のシリコン層と、前記両シリコン層間に設けられかつ前記小径孔部と同軸かつ同一径の連通孔を形成されたシリコン酸化膜とを有し、前記突出方向に対して前記フランジ部が前記シリコン酸化膜に衝当することにより前記頭部の突出量が規制されることを特徴とする導電性接触子のホルダ。
IPC (5件):
G01R 1/067 ,  G01R 1/073 ,  G01R 31/02 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66
FI (5件):
G01R 1/067 C ,  G01R 1/073 D ,  G01R 31/02 ,  G01R 31/26 J ,  H01L 21/66 D
Fターム (25件):
2G003AA10 ,  2G003AC01 ,  2G003AC03 ,  2G003AE03 ,  2G003AG04 ,  2G003AG12 ,  2G003AH05 ,  2G011AA15 ,  2G011AB01 ,  2G011AB04 ,  2G011AB05 ,  2G011AB06 ,  2G011AB07 ,  2G011AC14 ,  2G011AC32 ,  2G011AE03 ,  2G011AF07 ,  2G014AB51 ,  2G014AC06 ,  2G014AC10 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA14 ,  4M106CA56 ,  4M106DJ33

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