特許

J-GLOBAL ID：200903018193705849

研磨方法および装置ならびにそれを用いた半導体製造装置

発明者： 佐藤 清彦 ,  根津 広樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-238222
公開番号（公開出願番号）：特開平10-080857
出願日： 1996年09月09日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 化学的機械研磨におけるスループットを高め、研磨剤にかかる費用を低減する。【解決手段】 ポリウレタンなどからなる研磨パッド4が表面3aに設けられかつ研磨時に回転する研磨盤3と、研磨時に回転しながら半導体ウェハ1を研磨パッド4に押さえ付ける加圧ヘッド6と、研磨盤3を回転させる研磨盤回転手段8と、加圧ヘッド6を回転させる加圧ヘッド回転手段9と、ノズル10を介してスラリ2を研磨パッド4上に供給するスラリ供給手段11と、研磨盤3と加圧ヘッド6の先端部6aに取り付けられたガードリング5の対向面5aとに設置された複数の発光源14とからなり、発光源14により、研磨パッド4上に供給されたスラリ2に照明光を照射してスラリ2に光エネルギを与え、スラリ2と被研磨膜1cとの化学反応を促進させる。

請求項（抜粋）：

円盤状の被処理物に形成された被研磨膜を研磨する研磨方法であって、研磨盤の表面に設けられた研磨布などの研磨パッド上に研磨剤を供給し、加圧保持部材によって前記被処理物を前記研磨パッドに押さえ付けるとともに、反応促進手段により前記研磨剤にエネルギを与えて前記被処理物の被研磨膜を研磨することを特徴とする研磨方法。

IPC (4件)：

B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (5件)：

B24B 37/00 F ,  B24B 37/00 E ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 H