特許

J-GLOBAL ID：200903018193848577

絶縁膜のパターニング方法

発明者： 甫仮 透
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046395
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237199
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程を簡略化する。【解決手段】ウエハW上に、感光性を有する絶縁材料(光が当たった部分10が現像液に溶け易くなる材料)を用いて絶縁膜1を形成する。この絶縁膜1に対して、フォトマスク3を介した露光を行う。次に、絶縁膜1を所定の現像液で現像する。これにより、絶縁膜1の光が当たった部分10が現像液に溶けるため、絶縁膜1にコンタクトホール4が形成される。

請求項（抜粋）：

感光性を有する絶縁材料を用いて絶縁膜を形成し、この絶縁膜に対してフォトマスクを介した露光を行った後、現像を行うことにより、この絶縁膜にパターンを形成する絶縁膜のパターニング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/28 M ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/90 C

Fターム (12件)：

4M104DD07 ,  4M104DD15 ,  4M104EE14 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR00 ,  5F033SS10 ,  5F033XX33