特許
J-GLOBAL ID：200903018195412865
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松永 孝義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001569
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343735
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 安価で大面積な、アモルファス等の基板上に形成した半導体発光素子を提供する。【構成】 アモルファス、セラミック、多結晶あるいは単結晶の基板上に結晶成長法を用いて作製した大きなグレインサイズをもった多結晶内にpn接合、pin接合またはこれに類する接合を形成し、この接合に電流を注入して発光させる半導体発光素子。
請求項（抜粋）：
エピタルキシャル成長が起こらない材料からなる基板上に半導体材料としての多結晶体もしくは多結晶膜を形成し、前記多結晶体もしくは多結晶膜内に少なくともpn接合、pin接合またはこれに類する接合を有しており、p型半導体およびn型半導体にそれぞれ設けた電極の間に電流を流してpn接合、pin接合またはこれに類する接合で発光させることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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