特許

J-GLOBAL ID：200903018198916406

プラズマ処理装置及び処理方法

発明者： 鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297064
公開番号（公開出願番号）：特開2001-115267
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：

【要約】【課題】 高密度プラズマを用いて高速処理を行う場合でも、高密度プラズマやプラズマに接している誘電体窓からの強い輻射熱による処理性能の変化のない安定したプラズマ処理を実現する。【解決手段】 誘電体窓107と被処理基体102との間に高コンダクタンス不透明部材109を設けてマイクロ波プラズマ処理を行なう。この高コンダクタンス不透明部材109は、赤外光及び可視紫外光を非透過とし且つ処理用ガスを通過自在とするものである。【効果】 高密度プラズマやプラズマに接している誘電体窓107からの強い輻射熱は高コンダクタンス不透明部材109により遮断されるので基体102は過熱されず、安定な処理が可能となる。

請求項（抜粋）：

マイクロ波が透過可能な誘電体窓で一部を形成されたプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に設置される被処理基体の支持手段と、前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入する処理用ガス導入手段と、前記プラズマ処理室内を排気する排気手段と、前記プラズマ処理室内へマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、前記誘電体窓と前記被処理基体との間に設けられ、赤外光及び可視紫外光を非透過とし且つ前記処理用ガスを通過自在とする高コンダクタンス不透明部材とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

Fターム (47件)：

4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA02 ,  4K030KA12 ,  4K030KA23 ,  4K030KA39 ,  5F004AA01 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB16 ,  5F004BB17 ,  5F004BB18 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB26 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD07 ,  5F045AE07 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH06 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14