特許

J-GLOBAL ID：200903018199982720

CVD膜形成装置およびプラズマクリーニング方法

発明者： 山本 宏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183543
公開番号（公開出願番号）：特開平6-025859
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月01日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の配線層間の絶縁膜または保護膜として用いられるプラズマCVD法による薄膜を形成し、かつプラズマクリーニングにより余分なCVD薄膜の除去を行うCVD薄膜形成装置において、電極の寿命の向上をはかると同時に、パーティクルや電極の劣化による膜質の変動なくし、半導体装置の歩留りと信頼性の向上を図る。【構成】CVD薄膜を形成する半導体基板107とは別に電極を保護する治具108を予備排気室104に具備する。半導体基板107を真空容器104に搬送し、CVD薄膜をデポジションする。真空容器104から半導体基板107を取り出し、代わりに電極保護用治具108を真空容器に搬送し、電極を保護した後、CF4/O2等のCVD膜をエッチングするガスを導入し、プラズマクリーニングにより反応容器内をエッチングする。

請求項（抜粋）：

反応室内にクリーニング用のガスを導入し、高周波(RF)を印加することによって反応室内の余分なCVD膜(化学的気相成長膜)を除去するCVD膜形成装置において、プラズマクリーニング時に電極を保護する治具を予備排気室に具備し、プラズマクリーニング時に電極を保護する機構を有することを特徴とするCVD膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-113428
  
• 特開平4-147976
  
• 特開昭63-215037