特許
J-GLOBAL ID:200903018200447559

研磨状況モニタ装置、測定装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法、及びに半導体デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 四宮 通
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-230584
公開番号(公開出願番号):特開2002-043262
出願日: 2000年07月31日
公開日(公表日): 2002年02月08日
要約:
【要約】【課題】 研磨状況のモニタの精度を向上させることが可能でしかも安価な研磨状況モニタ装置を提供する。【解決手段】 光源31からのプローブ光は、レンズ36からウエハ2の研磨面に照射される。ウエハ2からの反射光は、レンズ36から光学系10に入射し、回折格子42で分光されてリニアセンサ43により受光され、その分光特性が計測される。ウエハ2からの散乱光や回折光の光量が、計測部8,9の受光センサ51により計測される。リニアセンサ43から得られた計測信号のうち、計測部8,9の受光センサ51,51から得られた計測信号に応じて選択した時期に得られた計測信号を用いて、ウエハ2の研磨状況をモニタする。これにより、プローブ光が特定の密度の回路パターンを照射している時期のみにおいて得られた分光特性に基づいて、研磨状況がモニタされる。
請求項(抜粋):
研磨体と研磨対象物との間に研磨剤を介在させた状態で、前記研磨体と前記研磨対象物との間に荷重を加え、かつ相対移動させることにより、前記研磨対象物を研磨する際に、その研磨状況をその研磨中にモニタする研磨状況モニタ装置であって、プローブ光を前記研磨対象物に照射する照射部と、前記プローブ光の照射により前記研磨対象物から所定方向に進行する光の特性を計測する第1の計測部と、前記プローブ光の照射により前記研磨対象物から前記所定方向以外の方向に進行する光の特性を計測する第2の計測部と、を備え、前記第1及び第2の計測部によりそれぞれ得られた計測信号に基づいて、前記研磨状況をモニタすることを特徴とする研磨状況モニタ装置。
IPC (4件):
H01L 21/304 622 ,  B24B 37/04 ,  G01B 11/06 ,  G01B 11/30
FI (4件):
H01L 21/304 622 S ,  B24B 37/04 K ,  G01B 11/06 Z ,  G01B 11/30 Z
Fターム (29件):
2F065AA02 ,  2F065AA30 ,  2F065BB03 ,  2F065CC19 ,  2F065FF41 ,  2F065FF44 ,  2F065FF48 ,  2F065GG24 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ02 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ08 ,  2F065JJ09 ,  2F065JJ15 ,  2F065JJ25 ,  2F065LL30 ,  2F065LL42 ,  2F065LL46 ,  2F065LL67 ,  2F065QQ25 ,  2F065SS13 ,  3C058AA07 ,  3C058AA12 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA07 ,  3C058CB05 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

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