特許
J-GLOBAL ID：200903018202987356
半導体パッケージ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
市之瀬 宮夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124457
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307415
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 超薄型で放熱効率のよい半導体パッケージを提供する。【構成】 半導体パッケージは、リードフレーム21を配置し、かつアイランド部分にICチップ51を配置し、当該ICチップ51の信号端子及び電源端子と前記リードフレーム21のインナーリード部先端とを金属線61でワイヤボンデングし、ICチップ51及びリードフレーム21のリードピン15のインナーリード部をモールド樹脂71で所定の形状に囲でなる。前記リードフレーム21は、リードピン15を所定の厚までエッチングし、リードピン15のアウターリード部先端にバンプ16を形成してなる。ヒートスプレッダ35は、エッチングで素子搭載部33及び外形側面34が形成されている。前記リードフレーム21とヒートスプレッダ35とは絶縁性接着テープ41で接着固定されている。ヒートスプレッダ35の素子搭載部33にICチップ51を搭載している。
請求項（抜粋）：
リードフレームを配置し、かつアイランド部分に半導体集積回路素子を配置し、当該半導体集積回路素子の信号端子及び電源端子と前記リードフレームのインナーリード部先端とをワイヤボンデングし、前記半導体集積回路素子及びリードフレームのリードピンのインナーリード部をモールド樹脂で所定の形状に囲でなる半導体パッケージにおいて、前記リードフレームは、リードピンを所定の厚までエッチングし、リードピンのアウターリード部先端にバンプを形成してなるとともに、エッチングで素子搭載部及び外形を形成したヒートスプレッダを設け、前記リードフレームとヒートスプレッダとは絶縁性接着テープで接着固定されてなることを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (2件)：
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