特許
J-GLOBAL ID：200903018204356779
絶縁性セラミックスの導電性付与方法及び加工方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大関 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-007907
公開番号（公開出願番号）：特開平5-208323
出願日： 1991年01月25日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 絶縁性セラミックスの放電加工のための導電性の付与方法及び型彫り、くり貫き等の加工方法に関する。【構成】 レーザ等の高密度エネルギーを照射することにより構成元素の一部が、分解、昇華するセラミックスに、レーザを非酸化性雰囲気中で照射することにより導電性を付与する。また窒化珪素の表層にレーザを用いて非酸化性雰囲気下で3kJ/cm2 以上の熱量を付与することにより導電性変質層を形成した後、各種加工を行いながら該導電性変質層を伸展し、所定の形状に加工する。
請求項（抜粋）：
レーザ等の高密度エネルギーを照射することにより構成元素の一部が分解、昇華するセラミックスに、非酸化性雰囲気中でレーザを照射することを特徴とする絶縁性セラミックスの導電性付与方法。
IPC (4件)：
B23H 9/00
, B23H 7/38
, B23K 26/00
, C04B 41/91
